Güney Kore merkezli bellek üreticisi SK Hynix, akıllı telefonlar ve taşınabilir cihazlarda yapay zekâ performansını geliştirmek amacıyla DRAM ve NAND bellek türlerini tek bir paket içinde birleştiren yeni bir teknoloji geliştiriyor. Şirketin High-Bandwidth Storage (HBS) adını verdiği sistem, mobil cihazlarda yerel veri işleme hızını artırmayı hedefliyor.
HBS Teknolojisi Mobil Cihazlarda Daha Yüksek Performans Sağlayacak
Kore basınında yer alan bilgilere göre HBS teknolojisi, yüksek bant genişliğine sahip bellek yapısını DRAM ve NAND bileşenleriyle aynı pakette buluşturuyor. Bu yapı, taşınabilir cihazlarda çalışan yapay zekâ uygulamalarının veri akışını hızlandırmayı amaçlıyor. HBS yapısında dikey bağlantılar aracılığıyla birbirine bağlanan 16 kata kadar DRAM ve NAND katmanı bulunuyor.
SK Hynix, bu sistemi geliştirirken 2023 yılında tanıttığı Dikey Tel Fan-Out (VFO) paketleme yönteminden yararlandı. VFO teknolojisi, geleneksel kavisli bağlantılar yerine dikey teller kullanarak katmanlar arasındaki mesafeyi azaltıyor. Bu yöntem sayesinde veri iletimi 4.6 kat hızlanıyor, enerji verimliliği yüzde 4.9 artıyor, ısı dağılımı yüzde 1.4 oranında iyileşiyor ve yonga kalınlığı yüzde 27 azalıyor.
HBS teknolojisinin en önemli farklarından biri, silikon tabakaları arasındaki bağlantı için geleneksel Through-Silicon Via (TSV) yöntemine ihtiyaç duymaması. Bu durum üretim sürecini sadeleştiriyor, maliyetleri azaltıyor ve üretim verimliliğini yükseltiyor. SK Hynix, HBS paketinin doğrudan cihazın uygulama işlemcisiyle entegre edileceğini belirtiyor. Böylece veri işleme süresi kısalırken yapay zekâ görevleri daha az enerjiyle gerçekleştirilebiliyor.
Şirket, HBS bellek teknolojisini 2029 ile 2031 yılları arasında tanıtmayı planlıyor. Ancak üretim planlarının 2026 yılına kadar yoğun talep nedeniyle zorlanabileceği belirtiliyor. SK Hynix, bu yeni bellek tasarımının akıllı telefonlardan giyilebilir cihazlara kadar pek çok mobil sistemde kullanılmasını öngörüyor.
